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军工保密资质认证
211项公开条目 | 中央军委装备发展部信息系统局2019年电子元器件科研项目评审公告
添加时间：2019-5-24 录入：深圳华道顾问 来源：网信军民融合杂志
项目概要：
中央军委装备发展部信息系统局2019年电子元器件科研项目评审公告
主要内容：
军委装备发展部信息系统局已于2019年5月22日通过全军武器装备采购信息网发布了290项电子元器件科研项目研制需求，其中公开211项（清单附后），涉密79项（需按网站“服务指南-涉密查询流程”进行现场查询），现拟对上述项目进行公开评审，特邀请国内有能力从事此项目的企事业单位参加，有关事项公告如下：
一、企业资格要求
1.在中华人民共和国境内注册且法定代表人具有中华人民共和国国籍；
2.非外资控股企业；
3.不得为从事代理、销售等非科研生产性质的单位；
4.取得国家标准的质量管理体系认证证书；
5.涉密项目申报单位需具备三级（含）以上保密资格，以及相应专业的装备承制单位资格；
6．所有项目均不接受联合体申请。
注：如申报单位不具备装备承制单位资格，且经评审最终成为项目承研单位，须经军委装备发展部信息系统局组织进行装备承制单位资格审查合格后，方可签订研制合同。
二、需求对接时间、地点、内容、方式
1.时间：2019年5月29日8：30～18：00。
2.地点：北京市丰台区七里庄路22号鹰翔宾馆。
3.内容：一是领取网上科研项目需求信息文件，二是现场填报单位详细信息，三是领取下一阶段评审工作安排。
4.方式：指定专人领取，不接受邮寄等其他方式。
领取需求信息文件时需提供以下资料：
（1）授权代表需提供有效身份证明（如是法定代表人，须提供《法定代表人身份证明》原件、身份证原件及复印件；如是非法定代表人，须提供《法定代表人授权书》原件（模板见附件）、法定代表人身份证复印件，以及被授权人身份证原件及复印件）；
（2）下载《保密承诺书》模板（见附件），填写并加盖公章；
（3）营业执照原件及加盖公章的复印件；
（4）国家标准的质量管理体系认证证书原件及加盖公章的复印件，申请涉密项目需同时提供保密资格和装备承制单位资格证书（含副本）复印件。
三、评审与结果反馈
1.项目评审分为初审（采取盲审形式）和会议评审。
2.超过5个申报单位的项目需进行初审（盲审），不超过5个（含）的直接采用会议评审方式。
3.初审（盲审）为专家书面评审，申报单位不到现场答辩。对通过初审（盲审）的单位将另行通知后续会议评审的时间安排及要求。
4.会议评审采取现场答辩方式，申报单位须到现场答辩，采取专家打分形式择优推荐拟立项单位。
5.会议评审后，入围候选单位信息将在全军武器装备采购信息网公示，时间为5天。
初审（盲审）及会议评审的具体时间、地点和要求将在需求对接中予以明确。
四、其他
请有申请意向单位填写《项目申报意向登记表》（见附件），并于2019年5月27日18:00时前将《项目申报意向登记表》Word电子版，以及加盖公章后的纸质版，通过扫描图像文件（Jpeg格式）发送至电子邮箱zfyqjxp@163.com。
联系人：姜思晓 电话：18601362481
张永超 电话：18511116819
郭小萱 电话：13701089075
王学军 电话：18611323511
附件：
1.军委装备发展部信息系统局关于2019年电子元器件科研项目评审工作规范
2.法人授权书模板
3.保密承诺书模板
4.项目申报意向登记表模板
公开211项
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序号
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标题
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专业领域
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主要内容
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功能用途
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1
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2019XP1119-110-170GHz低噪放
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电子元器件
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频率：110-170GHz；噪声系数：≤3.5dB；增益平坦度：±2dB。
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略
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2
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2019XP1120-75-170GHz零偏检波芯片
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电子元器件
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1、频率：75-110GHz； 电压灵敏度：≥1200V/W； 最小检测功率：-40dBm 。2、频率：110-170GHz； 电压灵敏度：≥1000V/W； 最小检测功率：-40dBm。
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略
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3
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2019XP1121-80-183GHz功率芯片
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电子元器件
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1、频率：80-130GHz； 增益:≥15dB； P1dB:≥20dBm； 功率平坦度：≤±1.6dB。2、频率：108-183GHz； 增益:≥15dB； P1dB:≥18dBm； 功率平坦度：≤±1.5dB3、频率：180-280GHz； 增益:≥12dB； P1dB:≥13dBm； 功率平坦度：≤±1.5dB。
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略
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4
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2019XP1122-12GHz-27GHz功率放大芯片
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电子元器件
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1、频率范围:12GHz-19GHz 增益:≥30dB； 增益平坦度：≤±1.5dB 输出功率：≥+31dBm； 输入回波损耗：≤-15dB； 输出回波损耗：≤-6dB。2、频率范围:18GHz-27GHz 增益:≥15dB； 增益平坦度：≤±1.0dB 输出功率：≥+31dBm； 输入回波损耗：≤-15dB； 输出回波损耗：≤-12dB。
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略
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5
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2019XP1123-PIN二极管（10MHz-70GHz）
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电子元器件
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Rs：≤1 欧姆（IF=10mA f=100MHz)Cj：≤0.03pF(VR=10V)τ：500ns-1500ns(IF=10mA IR=6mA 50% Recovery）VBR:≥250V（IR=10μA）。
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略
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6
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2019XP1124-7GHz宽带增益可控放大器
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电子元器件
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输入端口数量： 1路单端；模拟带宽： DC～7GHz（-3dB）， DC～4GHz（-1dB）；增益范围： -31.75dB～+40dB， 0.25dB步进信号输出端口数量： 4路差分；噪声系数：≤8dB(4GHz)。
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略
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7
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2019XP1126-电容系列
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电子元器件
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频率：16kHz(-3dB)-40GHz/160kHz(-3dB)-67GHz；尺寸：0402/0201容值：100nF/10nF插入损耗：≤0.5dB/≤0.5dB额定电压：16WDC/10WDC回波损耗：≤-10dB。
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略
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8
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2019XP1127-InP 宽带梳谱发生器芯片
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电子元器件
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1、S波段低相噪梳谱发生器芯片：输入信号：120MHz；输入信号功率：1～4dBm；输出幅度平坦度：≤1dB；输出谐波功率：≥-35dBm；输出谐波相位噪声：≤-120dBc/Hz@100kHz offset，2.64GHz输出；功耗：≤1W。2、26.5GHz宽带梳谱发生器芯片：输入频率范围：10MHz～6GHz；输入信号幅度：500mvpp～800mvpp脉冲@10MHz输入；输入输出幅度平坦度：≤12dB@10MHz输入；功耗：≤1W。
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略
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9
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2019XP1128-InP高频超宽带分频器
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电子元器件
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1、频率范围：4GHz～50GHz；分频比：2；输入功率范围：-10dBm～+5dBm；SSB相位噪声：≤-130dBc/Hz@100kHz(30GHz输入)；直流功耗：≤500mW。2、频率范围：26GHz～67GHz；分频比：2；输入功率范围：-5dBm～+5dBm；输出功率范围：≥-10dBm；SSB相位噪声：≤-130dBc/Hz@100kHz(30GHz输入)；直流功耗：≤900mW。
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略
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10
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2019XP1129-宽频段放大芯片
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电子元器件
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频率范围：DC-20GHz；增益：15dB；增益平坦度：±0.25dB；工作电压：+8V。
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略
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11
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2019XP1130-功率放大芯片
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电子元器件
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频率范围：100MHz-20GHz；增益：11dB；增益平坦度：±0.5dB 1dB压缩点。
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略
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12
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2019XP1131-电光调制器
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电子元器件
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模拟调制：67GHz；工作波长：1550nm；消光比：≥ 20dB。
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略
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13
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2019XP1132-光电探测器
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电子元器件
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3dB截止频率：70GHz；暗电流：典型值2nA；响应度:0.6V/W。
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略
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14
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2019XP1133-光扰偏器
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电子元器件
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中心波长：1550nm；工作波长范围：≥100nm；扰偏后偏振度：≤5%；偏振模式色散：≤0.05ps。
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略
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15
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2019XP1134-波导衰减器系列
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电子元器件
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频率范围：50GH~75GHz/60GHz~90GHz/75GHz~110GHz ； 电压驻波比：≤1.2 ；插入损耗：≤1dB 。
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略
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16
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2019XP1135-1.35mm-1.0mm同轴转接器系列
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电子元器件
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工作频率：DC～90GHz；回波损耗：≥28dB@DC～20GHz，≥20dB@20GHz～50GHz，≥17dB@50GHz～70GHz，≥14dB@70GHz～90GHz。
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略
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17
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2019XP1136-微波大功率密封法兰转接器
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电子元器件
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通道数量：24个；单通道指标如下：接口形式：TNC-K；特性阻抗：50欧姆；工作频率：0.05～11GHz；电压驻波比：≤1.2；插入损耗：≤0.8dB。
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略
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18
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2019XP1137-微波大功率密封法兰转接器
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电子元器件
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通道数量：10个；单通道指标如下：接口形式：SC-K；特性阻抗：50欧姆；工作频率：0.05～9GHz；电压驻波比：≤1.2；插入损耗：≤0.8dB。
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略
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19
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2019XP1140-8GHz～40GHz数字延时器
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电子元器件
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工作频率：8-40GHz；控制位数：≤9；插入损耗：≤12dB；时延量及控制特性：最大位时延量0.31ns；最小位延时量0.00121ns。
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略
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20
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2019XP1141-电子校准件
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电子元器件
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工作频率：DC-18GHz；直通插损：≤8dB；驻波：≤5dB(短路、开路)；≥10dB(负载)输入0.02dB压缩点。
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略
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21
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2019XP1142-双通道宽带射频信号接受处理芯片
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电子元器件
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通道数：2；集成信号群延迟调整精度：1/50 Tclk；集成变频通道数：4；变频抽取倍数：2-8倍；信号接收最高采样率：1GSPS。
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略
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22
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2019XP1143-四通道宽带射频信号发射处理芯片
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电子元器件
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通道数：4；集成信号处理I/Q正交通道数：4；集成信号群延迟调整精度：1/50 Tclk；集成变频通道数：8；变频抽取倍数：2-16倍；通道隔离度：50dB；信号接收串行接口速率：12.5Gbps。
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略
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23
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2019XP1148-音频解码器
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电子元器件
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支持立体声音频；分辨率：24bit；信噪比ADC/DAC ：94、96；2个DAC通道；支持16/20/24-bit PCM编码。
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略
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24
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2019XP1150-消回音电路
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电子元器件
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1、3路模数转换器；2、2路数模转换器；3、30mW低功耗；4、侧音消除25～35db；5、回声长度范围：64～100ms6、麦克输入和线性输入（可编程增益放大）范围-2dB～ +26dB；7、线性输出和扬声器输出（可编程增益放大）范围-29dB～+2dB；8、两种类型时钟输入：4.096MHz或13MHz；9、70ms初始化时间。
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略
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25
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2019XP1154-SATA接口存储芯片
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电子元器件
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电源电压:3.3V,12V；电源电流:60mA(工作模式),500μA(睡眠模式)；最大允许功耗:450mW(工作模式),70mW(睡眠模式),210mW(标准模式)。支持SATA 1.5G/s和3.0Gb/s模式，最大读性能70MB/s。
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略
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26
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2019XP1155-3.2Gbps单通道缓冲多路复用器/解复用开关
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电子元器件
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电源电压3.0～3.6V；功耗200mW；支持数据速率0～3.2Gbps；时延640ps；切换时间5ns；输出上升/下降时间85ps。
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略
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27
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2019XP1156-高性能SRAM
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电子元器件
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电源电压3.3±5%；功耗1.6W；支持最大时钟频率200MHz；72Mb容量；支持“NO WAIT”访问模式。
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略
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28
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2019XP1158-4通道差分开关
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电子元器件
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电源电压:3.3V；工作带宽:8GHz；最大传输速率:12Gbps；最大允许功耗:21.6mW 。
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略
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29
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2019XP1160-单端转LVPECL差分时钟扇出Buffer
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电子元器件
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电源电压:3.3V；1-to-4扇出Buffer，支持LVCMOS/LVTTL或晶体时钟输入；4路LVPECL输出；最大输出频率266MHz。
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略
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30
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2019XP1161-PCIe时钟扇出Buffer
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电子元器件
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电源电压:3.3V；专用于PCIe Gen1和Gen2的差分时钟Buffer；6路差分时钟输出；输出间偏移小于50ps。
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略
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31
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2019XP1162-4端口SHDSL接口芯片
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电子元器件
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电源电压3.0～3.6V/1.35～1.65V；功耗小于600mW；支持数据速率最大20800MHz。
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略
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32
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2019XP1163-CVSD编解码芯片
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电子元器件
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电源电压3.0～3.6V；功耗10mW；支持16K/32K速率的CVSD编解码功能。
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略
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33
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2019XP1164-多路音频接口芯片
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电子元器件
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电源电压3.0～3.6V；功耗50mW；支持8~48K采样，DAC信噪比不低于93dB，提供标准的I2S或PCM数字接口，提供2路麦克风和扬声器接口。
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略
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34
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2019XP1165-四路ADPCM编解码芯片
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电子元器件
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电源电压3.0～3.6V；功耗10mW；支持4通道的32k、24k、16k的ADPCM编解码，主时钟4.096Mhz。
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略
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35
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2019XP1166-单端口SHDSL接口芯片
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电子元器件
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单口SHDSL接口芯片；支持MII, RMII, SMII, SS-SMII等接口电源；电压:5V，3.3V；最大功耗:600mW。
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略
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36
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2019XP1167-回声消除器
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电子元器件
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工作温度范围:-40～85℃；电源电压:5V；电源电流:70mA；最大允许功耗:500mW；输出高电平电压≥0.9V；输出低电平电压≤0.1V；工作频率:19.2MHz。
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略
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37
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2019XP1170-差分时钟转换芯片
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电子元器件
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电源电压:2.5V,3.3V；支持晶体、单端和差分输入；支持LVPECL输出；输入频率范围：15.625MHz-32MHz；输出频率范围：83.33MHz-213.33MHz；周期抖动最大45ps。
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略
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38
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2019XP1171-E1接口芯片
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电子元器件
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电源电压3.3V±5%；最大功耗不大于0.8W；提供四路E1接口。
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略
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39
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2019XP1172-以太网映射器
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电子元器件
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电源电压3.3V±5%，1.8V±5%；最大功耗不大于0.8W；四路以太网到HDLC/X.86转换。
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略
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40
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2019XP1173-45MHz小体积窄带高矩形度晶体滤波器
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电子元器件
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标称频率：45MHz；-3dB带宽：≥±13kHz；-60dB带宽：≤±24kHz；插入损耗：≤3dB；带内波动：≤0.8dB；矩形系数：-80dB带宽/-3dB带宽≤2.0；阻带抑制：≥90dB（f0-10MHz~f0-700kHz，f0+700kHz~f0+10MHz）。
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略
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41
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2019XP1174-低辐射误差深空探测光纤温度传感器
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电子元器件
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±0.5℃传感器分辨率：0.1℃；反射率≥90%。
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略
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42
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2019XP1175-ISDN DNIC控制器
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电子元器件
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控制器接口侧：输出低电平时，输出电压最大0.4V,输出电流典型7.5mA；输出高电平时，输出电压最小2.4V,输出电流最小10uA；输入高电平时电压：最小2.4V，输入低电平电压：最大0.4V，输入漏电流最大10uA；3）线路接口侧：输入电压Vpp最大5V,输入阻抗最小20kΩ，输出电容8pF，负载电容最大20pF；4）参考时钟10.24MHz。
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略
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43
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2019XP1176-新研-SATA接口的集成式固态存储芯片
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电子元器件
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读取速率不小于300MB/s,写入速率不小于200MB/s；容量8GB SLC。
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略
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44
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2019XP1177-硅基单片6GHz集成VCO锁相环
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电子元器件
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输出功率最大值：≥0dBm@3GHz，≥-5dBm@6GHz；噪声优值：≤-223dBc/Hz；最大鉴频鉴相频率：125MHz(整数)、80MHz(小数)；跳频时间：≤50us(全频段任意跳)。
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略
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45
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2019XP1180-宽输入电压范围4A同步降压型DC/DC电源芯片
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电子元器件
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1.输入电压范围：3.4V ～42V；2.输出电流：4A；3.输出纹波电压：＜ 10mVp-p4.输出电压：可调低至0.970V；5.效率： 96% at 1MHz，94%y at 2MHz。
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略
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46
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2019XP1185-掺稀土的氟化钡快响应闪烁晶体研制
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电子元器件
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光输出≥2000 photons/MeV；衰减时间≤2 ns（快），衰减时间≤620 ns（慢）；快/慢分量比≥1.2；透光率：≥80%（@220 nm）；均匀性≥95%。
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略
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47
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2019XP1186-长波长快衰减塑料闪烁体
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电子元器件
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发光峰值波长≥ 480 nm；衰减时间≤ 3 ns；能量转换效率> 5000 photons/MeV；单片闪烁体不均匀度：< 3%。
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略
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48
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2019XP1187-50ns时间分辨高帧频CMOS图像传感器
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电子元器件
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分辨率：≥256×256像素；最小快门速度(时间分辨)：50ns；片上存储画幅数：≥4幅；线性动态范围：≥60dB；数字化精度：12bit。
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略
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49
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2019XP1188-小型化低抖动伪火花开关
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电子元器件
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阳极最高耐压：40kV；阳极工作电压：25kV～30kV；阳极脉冲电流（最大值）：≥10kA；阳极脉冲电流宽度：≥500ns；阳极着火延迟时间：≤200ns；阳极着火延迟漂移时间：≤±5ns；电压上升速率: 800 V/ns。
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略
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50
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2019XP1189-四极电子管
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电子元器件
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工作方式：脉冲调制正弦波；输出功率： ≥500 kW（Pulse）；工作频率：325 MHz ±1 MHz；频率范围：195～600MHz；脉冲调制重复频率：1 Hz；脉冲宽度：20 μs ~150 μs；高频激励输入功率：≤ 7 kW（Pulse）；负载特性：VSWR ≤ 2。
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略
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51
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2019XP1190-高压大电流高重频伪火花开关
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电子元器件
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正向阳极峰值电压 ：45kV；正向阳极直流电压：40kV；阳极峰值电流：50kA；电流反峰比：≥70%；延迟导通时间： ≤200ns；平均阳极电流：2A；最大脉冲重复频率：400pps。
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略
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52
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2019XP1191-室温中红外HgCdTe面阵探测器
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电子元器件
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像元数：1024（32×32）；像元间距：6mm；像元面积（光敏面面积）：约0.25mm2；可测量光谱范围：3.0μm～4.3μm；响应率：0.5A/W。
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略
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53
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2019XP1192-通用宽带大动态收发处理芯片
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电子元器件
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片内集成可变增益（60dB）放大器（VGA）、锁相环（PLL）；高性能ADC（14bit位宽320MSPS）；DAC（14bit位宽2GSPS）；混频器、滤波器、数字接口（符合JESD204B标准6.4Gbps的SERDES总线）等模块。
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略
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54
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2019XP1197-光学幅相调节器
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电子元器件
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工作波长：1530-1560nm；延时步进：≤0.5ps；调节步进：0.2 dB；光学插入损耗：≤3dB；插损变化量<0.5dB；回波损耗：>55dB；通道数：8
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略
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55
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2019XP1199-Si基集成光采样单元
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电子元器件
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在全光域实现对射频信号的宽带光A/D转换；射频信号输入带宽>20GHz；光采样率>40GSPS；A/D转换分辨率>8位；信噪比>30dB。
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略
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56
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2019XP1201-零中频正交解调器
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电子元器件
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输入射频及本振频率：400MHz~6GHz；输入IP3:30dBm@900MHz,28dBm@1900MHz；正交解调准确度@900MHz；相位准确度不高于0.2°；幅度平衡度不高于0.07dB。
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略
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57
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2019XP1202-宽带高速捷变本振源芯片/模块
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电子元器件
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相位噪声：≤-70dBc/Hz@100Hz；≤-80dBc/Hz@1kHz；≤-90dBc/Hz@10kHz；≤-100dBc/Hz@100kHz；谐波抑制：≤-30dBc；切换时间：≤50ns；控制接口：可设置频点和跳速。
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略
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58
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2019XP1204-SP3508EF-L
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电子元器件
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支持20Mbps的数据传输速率；支持RS-232(V.28)；支持EIA-530(V.10&V.11)；支持X.21(V.11)；支持EIA-530A(V.10&V.11)；支持RS-449/V.36(V.10&V.11)；支持V.35(V.35&V.28)。
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略
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59
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2019XP1206-正交解调器
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电子元器件
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输入带宽超过1000MHz，中心频率达到4GHz，无杂散动态范围达到40dB。
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略
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60
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2019XP1207-正交调制器
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电子元器件
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输入带宽超过800MHz，中心频率超过4.5GHz，载波抑制度超过45dBc。
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略
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61
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2019XP1208-频综芯片
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电子元器件
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输出时钟频率范围100MHz~2700MHz，支持小数分频，高线性度混频。
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略
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62
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2019XP1210-宽带卫通SOC基带芯片
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电子元器件
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a)支持宽带高速调制解调：1路500MBaud的解调器，2路100MBaud的解调器，1路150Mband的调制器；b)多核ARM架构CPU，主频1.2G3)集成I2C，SPI，DDR3接口。
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略
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63
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2019XP1211-UHF双模手持机射频收发芯片
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电子元器件
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支持FDD和TDD卫星信号收发模式；支持至少两收两发四通道；工作频段覆盖300MHz~3000MHz；接收机架构支持低中频和直接变频可配置；信道带宽324KHz~5MHz可配置；接收通道噪声系数≤5dB；
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略
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64
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2019XP1212-阵列信号处理芯片
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电子元器件
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波束水平范围 0°～360°；波束垂直范围 不低于15°～90°；最大波束合成天线阵元个数 8个；8天线阵波束合成增益 ≥ 8.5dB；每个输入通道位数 16-bit
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略
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65
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2019XP1218-AD转换器
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电子元器件
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LVDS信号输入，16bit分辨率；最高采样速率达到1230MSPS；可调模拟输出电压8.7mA~31.7mA；ACLR=82.5dBC@122.88Mhz。
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略
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66
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2019XP1220-AD转换器
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电子元器件
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单通道12位数模转换；3V/5V电源输入，输出0~Vdd；工作温度范围：-40~85；贮存温度范围：-65~150；外形尺寸≤3.2mm*5mm
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略
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67
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2019XP1221-固态功率放大器
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电子元器件
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150W功率放大器模块；工作模式：连续波；输出额定功率P-1dB：≥150W；增益：G≥70dB；增益平坦度：≤±0.6dB（40MHz内）；≤±1.3dB（750MHz内P-1dB回退10dB）。
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略
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68
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2019XP1222-通信基带处理芯片
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电子元器件
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支持技术体制：FDMA/TDMA/CDMA/OFDMA；信息速率：50bps-10Mbps；编译码：Turbo、LDPC、Polar。
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略
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69
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2019XP1223-移动通信系统射频芯片
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电子元器件
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1、发射通道：发射功率≥3dBm；EVM≤5%；ACPR≤-25dBc@第一邻道、≤-40dBc@第二邻道、≤-48dBc@第三邻道、≤-55dBc@第四邻道及以上；工作频段覆盖1980-2010MHz；2、接收通道：噪声系数≤5dB；EVM≤5%；抗阻塞满足≥-40dBm；工作频段覆盖2170-2200MHz。
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略
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70
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2019XP1231-电源芯片
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电子元器件
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可以提供0.6V至1.5V范围电压；支持不小于7相供电，单相供电流能力不小于40A；支持SMBus接口；支持动态调压功能；功耗小于200mW。
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略
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71
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2019XP9002-以太网多路PHY芯片
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电子元器件
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SGMII接口，支持符合IEEE 802.3标准的铜线接口：1000BASE-T、100BASE-TX、10BASE-T；支持光纤接口：1000BASE-X、100BASE-FX、SGMII-Slave口；集成双绞线终端电阻；兼容IEEE 802.3az。
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略
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72
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2019XP9003-PCI-E零延迟差分时钟驱动
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电子元器件
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Cycle-to-cycle 间抖动小于40ps；output-to-output偏斜小于30ps。
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略
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73
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2019XP9004-大电流DC/DC芯片
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电子元器件
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Accuracy Over Temperature ±0.5%；PWM输出电压（LOW threshold）小于0.5V，（HIGH threshold）大于4.5V。
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略
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74
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2019XP9005-PCI-E网络控制器
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电子元器件
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封装尺寸 9X9 mm； PCIe v2.1（2.5GT/s）；支持SerDes、Copper、Copper IT。
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略
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75
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1905WJ0001-面向桌面计算机的高性能多核64位处理器
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：自主64位指令系统；主频不低于2.0GHz；不低于四核；不多于八核；功耗不超过60W。
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略
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76
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1905WJ0002-高可靠发动机控制32位微处理器
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电子元器件
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共1个品种,产品指标：指令集兼容32位地址空间；内核工作频率：150MHz；片上FLASH：4MB；片上SRAM：192KB。
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略
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77
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1905WJ0003-低功耗通用32位微处理器
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电子元器件
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共3个品种,产品指标：
品种1：内核频率：120MHZ； Flash Memory：512KB；
品种2：48k程序存储器，10k数据存储器； 内核频率：20MHz；
品种3：与ARM指令集兼容；片上3MB带ECC程序Flash；内核工作频率：220MHz。
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略
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78
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1905WJ0004-高性能大容量网络搜索芯片
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：芯片容量：80Mb；搜索键值长度：支持48b、80b、160b、240b、320b、480b、640b。
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略
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79
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1905WJ0005-嵌入式图形终端SoC
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：集成4个CortexA9核心处理器和2D GPU核的控制器；CPU内核工作频率：不低于1GHz；Cache：32kB I/D。
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略
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80
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1905WJ0006-大容量NOR型FLASH存储器
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电子元器件
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共3个品种,产品指标：
品种1：容量1Gbits；可对任意扇区进行100,000次擦除操作。
品种2：容量2Gbits；最大读取时间：110ns。
品种3：容量1Gbit；最高时钟速率不低于108MHz。
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略
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81
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1905WJ0007-大容量NAND型FLASH存储器
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：品种1、品种2：容量：8/16Gbit；读写周期时间：≥25ns(持续),≤30μs(随机)；耐擦写：100000次。
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略
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82
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1905WJ0008-大容量DDR4动态存储器
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：
品种1：容量4Gbit；最高频率2.4Gbps；
品种2：8Gb容量；512M×16 DDR4 SDRAM。
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略
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83
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1905WJ0009-高性能SRAM存储器
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：
品种1：功能：同步 NBT SRAM；容量：36Mb；位宽：36位；速度：333MHz。
品种2：容量：128Kbit*8，高速存取时间：10ns。
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略
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84
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1905WJ0010-高性能视频压缩电路系列
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：压缩算法支持H.265；压缩能力支持不小于1920×1080@60Hz；
品种2：支持H.265硬核视频编码；编码等级支持MAIN、MAIN 10、MAIN STILL PICTURE、MAIN 422；视频编码帧性能不低于4K@30fps。
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略
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85
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1905WJ0011-2T高性能网络交换芯片
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：交换容量：2.0Tbps；端口：至少具备20个100Gbps端口，至少具备4个200Gbps端口和2个400G端口。
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略
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86
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1905WJ0012-双路万兆网络PHY芯片
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：可用于2路XAUI转SPI，实现10-Gbps以太网传输；通道数量、种类及速率：提供2个XAUI转SPI通道，每个通道都可实现10.3125Gbps 速度的数据传输；基准时钟输入：156.25MHz。
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略
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87
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1905WJ0013-磁耦合高速数字隔离器
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电子元器件
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共5个品种，产品指标：
品种1：四通道，隔离电压≥1500V；
品种2：四通道，隔离电压2500Vrms；
品种3：双通道，I2C 双向通讯，隔离电压2500V@1min；
品种4：双通道，隔离电压2500Vrms；
品种5：SPI接口，速度≥17MHz， 隔离电压≥3750Vrms。
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略
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88
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1905WJ0014-军用宽带频率合成器系列
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：
品种1：射频输入频率范围0.5～12GHz，小数分频器位数不低于24bit；
品种2：射频小数频率合成器，频率范围0.0625～10GHz，小数分频器位数不低于24bit。
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略
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89
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1905WJ0015-双环低抖动时钟产生电路
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：
品种1：提供 14 路独立的低噪声可配置分频比输出通路，最多可产生7对DCLK和SYSREF时钟，输入时钟频率范围：500MHz～6GHz；集成锁相环2中VCO频率范围：2.4GHz～3.2GHz；
品种2：双PLL，最高输出频率：3.2GHz；支持107.52MHz和122.88MHz输出。
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略
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90
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1905WJ0016-高性能升压型DC-DC电源转换器
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：
品种1：异步升压型DC-DC电源转换器，输入电压1.8V-6V，输出最高电压38V。
品种2：升压型DC-DC电源转换器，输入电压1.5～5V，输出电压5V，输出电流600mA。
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略
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91
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1905WJ0017-高性能低压差稳压电路
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电子元器件
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共7个品种，产品指标：
品种1：输入范围1.25V到16V；可以保证3A电流的输出，可调节电压可以低至0.8V；
品种2：输入输出可调，2.5V至5.5V输入，800mV至5V/1A输出；
品种3：2.5V至5.5V输入，输出电压范围0.75V--3.3V；
品种4：1路输出，输出电压1.2V～5.5V；输出电流1A，输入电压2.7V～5.5V；
品种5：输出电压可调、含使能功能，输出电压1.4V～-34V；最大输入电压36V；
品种6：输入电压范围：4V-40V；低功耗：28uA在休眠模式，1uA在关断模式，2.1MHzSWITCHING，600mA的输出能力；
品种7：输入电压：5.6V-40V；输出电压典型值：5V，输出电流150mA。
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略
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92
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1905WJ0018-超高速时分多路交织A/D转换器
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电子元器件
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共1个品种,产品指标：用于超宽带数字示波器的8位 32GSPS A/D转换器，片内集成可配置的数字下变频模块，可设置多种抽取倍数以适应超宽带数字示波器系统的需求。
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略
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93
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1905WJ0019-军用低延迟高速高性能数据转换器系列
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：低延迟双通道12位1.5GSPS A/D转换器；通道数：2个；分辨率：12位；AD最高更新速率：1.5Gbps；
品种2：低延迟12位3GSPS D/A转换器；产品性能指标：通道数：1个；分辨率：12位；DA最高更新速率：3GSPS。
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略
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94
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1905WJ0020-宽带高速高精度模数转换器系列
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：宽带12位4GSPS A/D转换器；带宽大于等于3GHz；分辨率：12bits；最高采样率：4GSPS；
品种2：宽带双通道、12位3.2GSPS A/D转换器；带宽大于等于6GHz；分辨率：12bits；通道数：2个；单通道最高采样率：3.2GSPS。
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略
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95
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1905WJ0021-军用高速高精度数据转换器
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电子元器件
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共2个品种,产品指标：
品种1：分辨率：16位；采样率：1GSPS；通道数：2；3.电源电压：1.9/3.0（典型）；
品种2：双通道12GHz16位RFDAC/DDS；最高工作频率：12GHz；集成通道数:2；DAC内核位宽：16；NCO频率字位宽：48位；NCO相位字位宽：16位。
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略
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96
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1905WQ0001-1200V碳化硅MOSFET功率模块
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：PD=1500W，ID=444A，VDSS≥1200V；RDS(on)≤4.3mΩ；半桥结构。
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略
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97
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1905WQ0002-快恢复整流二极管
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电子元器件
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共6个品种，产品指标：
品种1：工作电压VRWM：50V；
品种2：工作电压VRWM：100V；
品种3：工作电压VRWM：200V；
品种4：工作电压VRWM：400V；
品种5：工作电压VRWM：500V；
品种6：工作电压VRWM：600V。
正向电流IFM：3A；浪涌电流 IFSM：30A；正向压降VF≤1.3V；电容Ctot≤60pF；
静电指标：4000V；封装：金属陶瓷表面贴装
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略
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98
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1905WQ0003-低损耗肖特基二极管
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：
最大正向连续电流：20A；
峰值反向重复电压：45V；
最大正向电压降：0.58V；
正向电流5A时，正向电压降0.3V（典型值）。
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略
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99
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1905WQ0004-功率MOS
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：
品种1：VDSS=60V；RDS(ON)max=11mΩ；Qg=14nC；ID=50A；
品种2：VDSS=60V；RDS(ON)max=17.8mΩ；Qg=24nC；ID=10A；
品种3：VDSS=30V；ID=30A；RDS(ON)max=8mΩ；Qg=24nC；
品种4：VDSS=30V；ID=80A；RDS(ON)max=4mΩ；Qg=38nC。
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略
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100
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1905WQ0005-高压功率MOS
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：VDSS=1000V；ID=36A；RDS(ON)max=0.24Ω；
品种2：VDSS=800V；ID=17A；RDS(ON)max=600mΩ。
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略
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101
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1905WQ0006-超结功率MOS
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：VDSS=600V；ID=94A；RDS(ON)max=0.035Ω；Qg=38nC
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略
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102
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1905WQ0007-射频场效应管
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：Pout=300W；Gain=14dB；VDSS=65V；ID=32A；TJ=200℃；
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略
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103
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1905WQ0008-600V IGBT功率模块
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：集电极-发射极电压：600V；连续漏极电流：151A；
品种2：集电极-发射极电压：600V；连续漏极电流：600A；
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略
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104
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1905WQ0009-600V IGBT智能功率模块IPM
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：集电极-发射极电压：600V；连续漏极电流：75A；
品种2：集电极-发射极电压：600V；连续漏极电流：50A；
品种3：集电极-发射极电压：600V；连续漏极电流：30A；
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略
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105
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1905WQ0010-1200V IGBT功率模块
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电子元器件
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共5个品种，产品指标：
品种1：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：1200A；
品种2：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：450A；
品种3：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：400A；
品种4：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：125A；
品种5：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：50A。
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略
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106
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1905WQ0011-1200V IGBT智能功率模块IPM
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：150A；
品种2：集电极-发射极电压：1200V；连续漏极电流：300A。
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略
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107
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1905WQ0012-1700V IGBT功率模块
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：集电极-发射极电压：1700V；连续漏极电流：3600A；
品种2：集电极-发射极电压：1700V；连续漏极电流：650A；
品种3：集电极-发射极电压：1700V；连续漏极电流：300A。
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略
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108
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1905WG0001-铟镓砷短波红外探测器组件
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：规格：1280×1024；像元中心距：≤12um；工作波长：0.9μm～1.7μm；非均匀性：≤6%；峰值量子效率≥65%；数据位≥14bit；动态范围≥80dB；帧频≥50Hz。
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略
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109
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1905WG0002-高隔离电压低速光电耦合器
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：
品种1：2500Vrms隔离电压四通道表贴光电耦合器；正向电流：50mA；最大集电极发射极电压80V；
品种2：2500Vrms隔离电压单通道表贴光电耦合器；正向电流：50mA；最大集电极发射极电压80V；
品种3：3750Vrms隔离电压单通道表贴光电耦合器；电流输出比最小值80%5mA；电流输出比最大值600%5mA；
品种4：5300Vrms隔离电压双通道直插光电耦合器；电流输出比最小值80%5mA；电流输出比最大值600%5mA。
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略
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110
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1905WG0003-低输入电流光电隔离开关
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：100V 0.8A贴片式光电隔离开关；输出耐压：≥90V；导通电阻（A连接）：≤1Ω；导通电阻（B连接）：≤0.25Ω；输入正向电压：≤1.7V；抗总剂量≥50krad（Si）；
品种2：50V 0.3A直插式光电隔离开关；隔离电压AC 1500V；输出耐压40V；最大导电流1A；最大导通电阻0.2Ω；Ton/Toff<3ms。
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略
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111
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1905WG0004-高速集成电路输出型光电耦合器
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：1Mbit/s高速OC输出光电耦合器；隔离电压3750Vrms；CTR>25%；供电电压15V；
品种2：10Mbit/s高速OC输出光电耦合器；最小隔离电压AC 5000V；共模瞬态抑制：10KV/us；电压输出范围直流4.5V～7V；最大输出电流50mA；
品种3：15Mbit/s 高速OC输出光电耦合器；最小隔离电压AC 3750V；共模瞬态抑制：15KV/us；电压输出范围直流2.7V～3.6V；最大输出电流25mA；
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略
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112
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1905WG0005-高功率1064nm声光调制器
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：工作波长：1.06±0.02μm；承受激光功率：50W；有效通光口径：≥Φ3mm；衍射效率：≥90%；光脉冲上升时间：≤200ns；通断消光比：≥500:1。
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略
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113
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1905WG0006-低半波电压1064nm铌酸锂相位调制器
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：工作波长：1064nm±20nm；最大输入光功率：≥100mW@1064nm；插入损耗：≤3.0dB；尾纤偏振串音：≤20dB；半波电压@50kHz：≤2.1V；带宽：20GHz；RF连接器：SMA（female）。
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略
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114
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1905WG0007-高峰值功率微型人眼安全激光模组
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：激光波长：1.5um；工作频率：≥5Hz；脉冲宽度：≥3ns；峰值功率：≥80kW；光束质量：M²≤1.5。
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略
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115
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1905WH0001-非隔离微模块电源
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：
品种1：1.输入电压4.5V-20V；2.输出电压0.6V-5.6V；3.输出电流20A,并联可至80A；4.效率88%5.BGA封装。
品种2：1.输入电压4.75V-28V；2.输出电压V1、2：0.8V-5.5V,输出电压V3：0.8V-13.5V；3.输出电流5A、5A、4A；4.BGA封装；
品种3：1.输入电压5V-58V；2.输出电压1.2V-48V；3.输出电流1.7A-5.4A；4.BGA封装；
品种4：1.输入电压2.8V-18V；2.输出电压2.5V-15V/-2.5V--15；3.输出电流0.35mA.4.BGA封装。
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略
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116
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1905WH0002-高功率密度厚膜DC/DC变换器
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：1.输入电压范围:16V～50V；2.输出功率:50W；3.输出电压：3.3V；4.输出电流：15.15A；5.效率：≥84%。
品种2：1.输入电压范围:16V～50V；2.输出功率:50W；3.输出电压：5V；4.输出电流：10A；5.效率：≥85%；
品种3：1.输入电压范围:16V～50V；2.输出功率:50W；3.输出电压：15V；4.输出电流：3.33A；5.效率：≥88%；
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略
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117
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1905WH0003-大功率输出磁隔离厚膜DC/DC变换器
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：1、输入电压范围:16V～40V；2.输出功率:100W；3.输出电压：15V；4.输出电流：6.67A；5.效率：≥86%；
品种2：1.输入电压范围:16V～40V；2.输出功率:100W；3.输出电压：28V；4.输出电流：3.57A；5.效率：≥85%；
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略
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118
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1905WH0004-隔离型1W小功率小体积DC/DC变换器
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电子元器件
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共5个品种，产品指标：
品种1：1、输入电压范围:5V；2.输出功率:1W；3.输出电压：3.3V；4.输出电流：0.3A；
品种2：1、输入电压范围:5V；2.输出功率:1W；3.输出电压：5V；4.输出电流：0.2A；
品种3：1、输入电压范围:5V；2.输出功率:1W；3.输出电压：5V；4.输出电流：0.2A；
品种4：1、输入电压范围:12V；2.输出功率:1W；3.输出电压：3.3V；4.输出电流：0.39A；
品种5：1、输入电压范围:12V；2.输出功率:1W；3.输出电压：5V；4.输出电流：0.2A；
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略
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119
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1905WH0005-浪涌抑制器
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：额定输入电压：28V,瞬态输入电压：50V（1S）,100V(100mS）,600V(10uS)；输出最大电压：40V；输出电流：10A；最大直流电阻：120mΩ；噪声抑制：≥60dB(500kHz)；绝缘电阻（输入、输出-壳体）：≥100MΩ（1500VDC ）；
品种2：输入电压：9～40V，瞬态输入电压：50V（1S）,100V(50mS),600V(10uS)；输出最大电压：40V；最大直流电阻：120mΩ；绝缘电阻（输入、输出-壳体）：≥100MΩ（500VDC ）。
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略
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120
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1905WH0006-三通道高精度I/F转换器
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：测量范围：±48.5mA及以下；全温零偏值：≤20nA；零偏一次通电稳定性(1σ)：≤2nA；零偏月重复性(1σ)：≤2nA；标度因数：≥6500pulses/s/mA；
品种2：测量范围：±80mA及以下；功耗：≤2W；体积：64mm×50mm×8mm(不包括安装法兰)；全温零偏值：≤100nA； 零偏一次通电稳定性(1σ)：≤3nA；零偏月重复性(1σ)：≤10nA；标度因数：≥3000pulses/s/mA。
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略
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121
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1905WH0007-高压直流无刷电机驱动器系列
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电子元器件
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共3个品种，产品指标
品种1：工作电压范围160V～400V,输出电流：5A（限流值11～15A），导通压降：≤1.0V；控制电压：15V；静态电流≤100mA；尺寸：(66×35×10)mm；ESD：2000V；
品种2：工作电压范围160V～400V,输出电流：20A（限流值41～48A），导通压降：≤2.0V；控制电压：15V；静态电流≤100mA；尺寸：(66×50×10)mm；ESD：2000V；
品种3：工作电压范围160V～400V,输出电流：30A（限流值61～68A），导通压降：≤3.0V；控制电压：15V；静态电流≤100mA；尺寸：(78×40×10)mm。
ESD：2000V；
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略
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122
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1905WH0008-电机、功率MOSFET控制/驱动器
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：电源电压：10V-30V ；电源电流Icc：12mA ；基准电压：6.24V；振荡频率：25KHz。
品种2：电源电压：4.5-25V；峰值驱动电流：2A；持续驱动电流：1A。
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略
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123
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1905WZ0001-永磁交流伺服电机组件
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：55电机：包含55电机本体和滚柱丝杠。55电机本体指标：额定电压160VDC，工作点1：转矩1.5N.m，工作转速≥10500rpm；工作点2：转矩2.5N.m，工作转速≥10000rpm；电机最大转矩≥5N.m；
品种2：80电机：包含80电机本体、行星减速器和滚柱丝杠。80电机本体指标：额定电压220VDC，工作点1：额定转矩:4.8N.m，额定转速≥14800rpm；工作点2：额定转矩8.4N.m，额定转速≥12000rpm。
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略
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124
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1905WZ0002-高可靠电磁断路器
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：
品种1：级数：一级；额定电流：15A；分断能力：20ln；额定电压：125VDC；介质耐电压：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms；绝缘电阻：100MΩ；接触电阻：1mΩ；
品种2：级数：二级；额定电流：20A；分断能力：20ln；额定电压：125VDC；介质耐电压：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms；绝缘电阻：100MΩ；接触电阻：1mΩ；
品种3：级数：三级；额定电流：2A；分断能力：20ln；额定电压：125VDC；介质耐电压：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms绝缘电阻：100MΩ；接触电阻：1mΩ；
品种4：级数：三级；额定电流：35A；分断能力：20ln；额定电压：125VDC；介质耐电压：1500VAC；抗浪涌：10In@10ms绝缘电阻：100MΩ；接触电阻：1mΩ。
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略
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125
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1905WZ0003-宇航用小型同轴微波开关
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：SPDT(单刀双掷)SMA型开关
工作频段：DC～22GHz：驻波比：≤1.33；插入损耗≤0.35dB；隔离度≥65dB；重量≤62g；
品种2：DPDT(双刀双掷)SMA型开关
工作频段：DC～22GHz：驻波比：≤1.33；插入损耗≤0.50dB；隔离度≥65dB；重量≤55g；
品种3：DP3T(双刀三掷)SMA型开关
工作频段：DC～22GHz：驻波比：≤1.33；插入损耗≤0.35dB；隔离度≥65dB；重量≤125g。
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略
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126
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1905WZ0004-抗浪涌微小型电磁继电器
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：JMW－270M型磁保持继电器；动作时间≤2.0ms；触点稳定时间≤2.5ms；
品种2：JRW-210M型微型密封直流电磁继电器；动作时间≤2.0ms，释放时间≤1.5ms；触点稳定时间≤2.0ms；
品种3：JRW-220M型微型密封直流电磁继电器；动作时间≤2.0ms，释放时间≤1.5ms；触点稳定时间≤2.0ms。
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略
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127
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1905WZ0005-ZL27大功率射频同轴连接器
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电子元器件
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共5个品种，产品指标：品种1～品种5：品种规格：接电缆型连接器ZL27-J；微带连接器：ZL27-KFD，ZL27-JFD；转接器：ZL27/TNC，ZL27/SMA；频率范围：1.1GHz～1.3GHz；电压驻波比（VSWR）：≤1.1；介质耐电压：3000 V；
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略
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128
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1905WZ0006-高密度、高速率、开放式印制板连接器
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：品种1～品种4：10排X40芯，插合高度：8、9、11.5mm；8排X20芯，插合高度12.5mm；额定电流：2A；接触电阻：≤20mΩ；绝缘电阻：≥10MΩ(常温条件下)；耐电压：500V(常温条件下)；传输速率：20Gbps。
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略
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129
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1905WZ0007-空间站太阳电池翼板间柔性互联扁平电缆
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电子元器件
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共7个品种，产品指标：
品种1～品种7：产品规格：0.2mm*10线*0.5m；0.2mm*16线*0.5m；0.2mm*16线*10m-30m；0.2mm*40线*0.5m；0.4mm*10线*0.5m；0.4mm*16线*10m-30m；0.4mm*38线*10m-30m；
扁平电缆原子氧防护性能，满足7.83×1026/m2防护要求；扁平电缆具有展开收拢功能，展开收拢力矩0.01N.m～0.4N.m；扁平电缆厚度：0.2mm（单线）、0.4mm（双线），单次折叠最大收拢厚度小于2mm；
扁平电缆单线载流：7A（重量不大于6g/m/线）、2.5A（重量不大于1.5g/m/线）；扁平电缆展开结构疲劳性能：不低于105次（位移量±3mm）；扁平电缆耐磨性能：15kpa，位移量大于24m。
7A线路电阻不高于0.036Ω/m（20℃）；2.5A线路电阻不高于0.15Ω/m（20℃）。
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略
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130
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1905WZ0008-空间用高比能长寿命锂离子蓄电池
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1～品种3：单体容量：30Ah（LEO轨道）、45Ah（LEO轨道）、50Ah（GEO轨道）；
单体比能量：≥190Wh/kg（LEO轨道），≥210Wh/kg（GEO轨道）；单体循环寿命：≥44000～55000次（LEO轨道），≥1080～1350（GEO轨道）。
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略
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131
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1905WZ0009-空间用高功率长寿命锂离子蓄电池
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1～品种2：单体容量：3Ah、8Ah；
单体比能量：≥90Wh/kg，放电倍率：30C～50C，在轨寿命：≥5年，循环寿命：≥100次。
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略
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132
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1905WZ0010-电动力鱼雷用铝氧化银电池
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：主要功能：为电动力鱼雷动力系统、声呐系统和仪表系统提供直流电源。
性能参数：工作电压374V±25V；工作电流280A±30A；工作时间≥10min；额定容量50Ah；激活时间≤10s；重量≤145kg。
品种2：主要功能：为电动力鱼雷动力系统、声呐系统和仪表系统提供直流电源。
性能参数：工作电压374V±25V；工作电流830A±30A；工作时间≥15min；额定容量212.5Ah；激活时间≤10s；重量≤685kg。
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略
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133
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1905WZ0011-耐高温长工作时间热电池
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
工作温度：-50℃～+450℃；比能量：≥80Wh/kg；激活方式：电激活；激活时间：≤1s；
品种1：工作电压：42-68V，工作电流：稳态3A，脉冲60A，工作时间1800s；
品种2：工作电压：70-100V，工作电流：稳态13A，脉冲60A，工作时间1800s；
品种3：工作电压：220-320V，工作电流：稳态5A，脉冲60A，工作时间2600s。
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略
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134
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1905WZ0012-弹用锂原电池
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：5BU15电池组容量:15Ah,工作电压:10-20V,比能量≥350Wh/kg(50A放电30s后按15A放电至10V)
品种2：16BU20电池组容量:20Ah,工作电压:32-62V,比能量≥330Wh/kg(2500W放电45s后按1000W放电至32V)。
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略
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135
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1905WZ0013-空间用长寿命高效薄膜砷化镓太阳电池
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：
品种1：效率不小于32%（AM0光谱）；面积8cm2；弯曲半径小于5cm；砷化镓薄膜太阳电池（未封装的单体）厚度不大于50μm；
品种2：效率不小于32%（AM0光谱）；面积12cm2；弯曲半径小于5cm；砷化镓薄膜太阳电池（未封装的单体）厚度不大于50μm；
品种3：效率不小于32%（AM0光谱）；面积24cm2；弯曲半径小于5cm；砷化镓薄膜太阳电池（未封装的单体）厚度不大于50μm；
品种4：效率不小于32%（AM0光谱）；面积32cm2；弯曲半径小于5cm；砷化镓薄膜太阳电池（未封装的单体）厚度不大于50μm。
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略
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136
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1905WY0001-霍尔效应线性电流传感器
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：LCB-PFF，陶瓷；Vcc:最大16V ；额定工作电压5V；电流输入范围: -100A～100A；隔离电压3kV，非线性度不大于±1.25％；
品种2：量程100A；输出精度40mv/A；内阻100微欧，典型工作电压5v。
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略
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137
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1905WY0002-差压/压力传感器芯体
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：差压型芯体：量程7bar、21bar差压，非线性0.1%，2倍过压，3倍爆破压力，重量不大于20g，10V供电，全量程输出0-100mv；
品种2：压力型芯体：压力量程17Bar、70bar，非线性0.1%，2倍过压，重量不大于5克，10V供电，全量程输出0-100mv。
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略
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138
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1905WY0003-耐高温滑油液位传感器
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：品种1～品种3：主要功能描述：用于实现在高温环境下的发动机滑油液位测量。测量精度：5%FS；测量介质温度：≮240℃；量程指标：0-200mm,0-280mm,0-420mm。
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略
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139
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1905WY0004-高精度燃油液位传感器
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电子元器件
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共2个品种，产品指标：
品种1：量程：35m；精度：±2mm；重复性：1mm；发射角：10°；过程温度：-40～200°C；过程压力：-1～16bar；输出：4～20mA/HART；天线型式：PTFE密封天线；防护等级：IP68（0.2bar）。
品种2：量程：1.8m~2.9m；介电常数：εr ≥ 1.6；精度：±2mm；重复性：±1mm；盲区：顶部100mm，底部50mm；输出形式：4－20mA/HART；过程温度：-40 -+150 °C；过程压力：-1 … +40 bar；防护等级：IP68 (0.2 bar)。
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略
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140
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1905WY0005-多功能温湿度传感器
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：主要功能描述：产品是一种测量温度、湿度、露点及霜点的多功能气象传感器。通讯接口：RS232； 温度测量范围：-50℃～100℃；湿度测量范围：0~100%RH ；温度精度：0.1℃ ；湿度精度：0.8%RH ；
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略
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141
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1905WY0006-温盐深传感器
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：
耐压：3MPa；采样频率：1.83-4.5Hz；温度测量范围：-2～32℃；电导率测量范围：0-70ms/cm；压力测量范围：0～3MPa；温度精度：±0.002℃；电导率精度：±0.009ms/cm；压力精度：±0.1%满量程；通信接口RS232；工作电压DC12V。
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略
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142
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1905WY0007-压力变送器
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：
量程：-2kPa～15kPa，表压； 0kPa～1000kPa，表压；0kPa～1000kPa，绝压；0kPa～105kPa，表压；2kPa～120kPa，绝压；精度：0.05%F.S（-55℃～70℃）；工作电流：≤200mA；使用高度范围：0km～25km；上电时间：≤20ms；
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略
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143
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1905WY0008-旋转弹无驱动结构微机械陀螺
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电子元器件
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共3个品种，产品指标：
品种1：测量范围：自旋1～15r/s，俯仰/偏航150°/s；零偏：≤0.5°/s；零偏稳定性：10°/h；分辨率：0.001°/s；非线性度：≤0.5%FS；
品种2：测量范围：自旋1～10r/s，俯仰/偏航180°/s；零偏：≤0.5°/s；零偏稳定性：10°/h；分辨率：0.001°/s；非线性度：≤0.5%FS；
品种3：测量范围：自旋1～5r/s，俯仰/偏航300°/s；零偏：≤0.5°/s；零偏稳定性：10°/h；分辨率：0.001°/s；非线性度：≤0.5%FS。
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略
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144
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1905WY0009-小型惯性测量器件
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电子元器件
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共1个品种，产品指标：供电电压：5V±0.25V；角速度：测量范围：±400°/s；零偏稳定性：0.3°/h；非线性：50ppm；角度随机游走：0.15°/√h；带宽：100Hz；加速度：测量范围：±10g；零偏稳定性：0.05mg；分辨率：5ug。
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略
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145
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1905WY0010-板式阵列电感器
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电子元器件
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共4个品种，产品指标：
品种1：初始磁导率μ≥1000；工作电压：200V；介质耐压：600V；绝缘电阻：≥10GΩ；电感量（μH）：BE25:≥0.25；
品种2：初始磁导率μ≥1000；工作电压：200V；介质耐压：600V；绝缘电阻：≥10GΩ；电感量（μH）：BK1538:≥0.4；
品种3：初始磁导率μ≥1000；工作电压：200V；介质耐压：600V；绝缘电阻：≥10GΩ；电感量（μH）：BA1135:≥0.6；
品种4：初始磁导率μ≥1000；工作电压：200V；介质耐压：600V；绝缘电阻：≥10GΩ；电感量（μH）：BD2412:≥0.35。
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略
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146
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1905WY0011-高温片式薄膜固定电阻器
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电子元器件
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共5个品种，产品指标：品种1～品种5：主要功能描述：主要应用于高温传感器处理系统中，满足较高温度环境下，精密电信号的采集用。阻值范围（@25℃）：RMK1005HT：10Ω～4.7KΩ，RMK1608HT：10Ω～50KΩ、RMK2012HT：10Ω～100KΩ、RMK3216HT：10Ω～200KΩ、RMK5025HT：10Ω～300KΩ；额定功率（@215℃）：RMK1005HT：0.0189W，RMK1608HT：0.0375W、RMK2012HT：0.06W、RMK3216HT：0.1W、RMK5025HT：0.2W；极限电压：RMK1005HT：50V，RMK1608HT：75V、RMK2012HT：150V、RMK3216HT：200V、RMK5025HT：300V；
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略
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147
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1905WY0012-片式压敏电阻器
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电子元器件
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共8个品种，产品指标：
主要功能描述：主要起过电压保护、抑制浪涌电流等作用。
品种1、品种2：工作电压:9V/18V；压敏电压：12V±15%/24V±10%；峰值电流：≥30A；
品种3、品种4：工作电压:11V/22V；压敏电压：15V±15%/30V±10%；峰值电流：≥120A；
品种5、品种6：工作电压:26V/38V；压敏电压：33V±10%/47V±10%；峰值电流：≥200A；
品种7、品种8：工作电压:38V/56V；压敏电压：47V±10%/68V±10%；峰值电流：≥250A；
漏电流：≤30μA。
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略
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148
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1905WY0013-内在保险丝导电聚合物片式钽电容器
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电子元器件
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共5个品种，产品指标：
额定电压：10V～50V；标称电容量：47μF～470μF；标称电容量允许偏差：±10%；
CAK55Y型：
品种1：16V-330μF； 品种2：20V-220μF； 品种3：25V-150μF； 品种4：35V-68μF； 品种5：V-47μF。
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略
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149
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1905WW0001-高功率微波防护限幅器系列
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电子元器件
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共3个品种，主要指标：
品种1：工作频率：0.03～2GHz；耐功率（Ta=25℃）≥1000W(脉宽10us，1%），≥30W（CW)；插入损耗≤1.4dB@0.03～2GHz；限幅输出功率≤15dBm@45dBm；输入输出驻波≤1.5；
品种2：工作频率：2～6GHz；耐功率（Ta=25℃）≥1000W(脉宽10us，1%）≥30W（CW)；插入损耗≤1.7dB@2～6GHz；限幅输出功率≤15dBm@45dBm；输入输出驻波≤1.5；
品种3：工作频率：6～18GHz；耐功率（Ta=25℃）≥1000W(脉宽10us，1%），≥30W（CW)；插入损耗≤2.2dB@6～18GHz；限幅输出功率≤15dBm@45dBm；输入输出驻波≤1.5。
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略
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150
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1905WW0002-微波毫米波温度补偿衰减器芯片系列
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电子元器件
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共3个品种，主要指标：
●工作频率:DC-20GHz；衰减量@1GHz@25℃：2-7dB；衰减精度:±0.5dB；温度系数：N3-N9；驻波比：≤1.3；额定功率0.2W。
●工作频率:16-36GHz；衰减量@1GHz@25℃：2-6dB；衰减精度:±1.0dB；温度系数：N5-N7；驻波比：≤1.35；额定功率0.1W。
●工作频率:20-40GHz；衰减量@1GHz@25℃：2-6dB；衰减精度:±1.0dB；温度系数：N5-N7；驻波比：≤1.35；额定功率0.1W。
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略
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151
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1905WW0003-超宽带微波/毫米波噪声二极管系列
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电子元器件
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共3个品种，主要指标：
品种1：工作频率：75GHz～110GHz；工作电压：10～12V；工作电流：小于40mA；特征阻抗：50Ω；输出ENR：不小于15dB；输出形式：裸片表贴或梁氏引线封装，尺寸不大于3mm×3mm。
品种2：工作频率：18GHz～110GHz；工作电压：10～12V；工作电流：小于40mA；特征阻抗：50Ω；输出ENR：不小于15dB；输出形式：裸片表贴或梁氏引线封装，尺寸不大于3mm×3mm。
品种3：工作频率：1GHz～110GHz；工作电压：10～12V；工作电流：小于40mA；特征阻抗：50Ω；输出ENR：不小于15dB；输出形式：裸片表贴或梁氏引线封装，尺寸不大于3mm×3mm。
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略
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152
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1905WW0004-InP高频超宽带分频器
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电子元器件
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共2个品种，主要指标（25℃典型值）：
品种1：频率范围：4GHz～50GHz；分频比：2；输入功率范围：-10dBm～+5dBm@40GHz；输出功率范围≥-6dBm@40GHz；SSB相位噪声≤-130dBc/Hz@100kHz、30GHz输入；直流功耗≤500mW；
品种2：频率范围：26GHz～67GHz；分频比：2；输入功率范围：-5dBm～+5dBm@50GHz；输出功率范围≥-10dBm@60GHz；
SSB相位噪声：≤-130dBc/Hz@100kHz、30GHz输入；直流功耗≤900mW。
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略
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153
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1905WW0005-0.3-110GHz仪表用功率放大器芯片
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电子元器件
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共6个品种，主要指标：
品种1：频率：0.3～6GHz；输出功率：30W；线性增益：25dB；效率：35%。
品种2：频率：6～18GHz；输出功率：20W；线性增益：25dB；效率：20%。
品种3：频率：40～67GHz；输出功率：2.5W；线性增益：18dB；效率：17%。
品种4：频率：50～75GHz；输出功率：2W；线性增益：17dB；效率：16%。
品种5：频率：60～90GHz；输出功率：1.5W；线性增益：15dB；效率：15%。
品种6：频率：75～110GHz；输出功率：1W；线性增益：12dB；效率：10%。
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略
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154
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1905WW0006-超宽带超平坦极低噪声放大器
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电子元器件
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共3个品种，主要指标：
品种1：工作频率：0.38～2GHz；噪声系数（全频带）≤1.4dB；增益（全频带）≥30±0.5dB（常温），≥29.1±1.2dB（高温）；带内平坦度：±0.3dB（每0.3GHz带宽内）；输入P-1≥－25dBm；输出P-1≥＋23dBm；功耗≤150mA（＋5±0.2V）或≤60mA（＋12±0.2V）；驻波≤1.8。
品种2：工作频率：2～8GHz；噪声系数（全频带）≤1.5dB；增益（全频带）≥31±0.7dB，≥30±1.5dB（高温）；带内平坦度：±0.5dB（每1GHz带宽内）；输入P-1≥－25dBm；输出P-1≥＋23dBm；功耗≤150mA（＋5±0.2V）或≤60mA（＋12±0.2V）；驻波≤1.8。
品种3：工作频率：8～18GHz；噪声系数（全频带）≤2.2dB；增益（全频带）≥34±0.7dB，≥35±1.5dB（高温）；带内平坦度：±0.5dB（每1GHz带宽内）；输入P-1≥－25dBm；输出P-1≥＋20dBm；功耗≤240mA（＋5±0.2V）或≤100mA（＋12±0.2V）；驻波≤1.8。
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略
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155
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1905WW0007-集成译码和驱动单刀多掷开关芯片系列
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电子元器件
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共4个品种，主要指标：
品种1：0.1～12GHz SP4T开关芯片：频率范围：0.1-12GHz；插入损耗＜2.5dB；隔离度＞40dB；典型回波损耗：15dB；输入P-1dB＞18dBm（12GHz）；开关时间＜50nS；工作电压：-5V；-5/0V TTL控制，集成2-4 译码器、驱动器。
品种2：0.1～18GHz SP4T开关芯片：频率范围：0.1-18GHz；插入损耗＜3.0dB；隔离度＞36dB；典型回波损耗：15dB；输入P-1dB＞18dBm（18GHz）；开关时间＜50nS；工作电压：-5V；-5/0V TTL控制，集成2-4 译码器、驱动器。
品种3：0.1～8GHz SP8T开关芯片：频率范围：0.1-8GHz；插入损耗＜3.0dB；隔离度＞40dB；典型回波损耗：14dB；输入P-1dB＞25dBm（8GHz）；开关时间：＜50nS；工作电压：-5V；-5/0V TTL控制，集成3-8 译码器、驱动器。
品种4：0.1～12GHz SP8T开关芯片：频率范围：0.1-12GHz；插入损耗＜3.5dB；隔离度＞36dB；典型回波损耗：14dB；输入P-1dB＞25dBm（12GHz）；开关时间＜50nS；工作电压：-5V；-5/0V TTL控制，集成3-8 译码器、驱动器。
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略
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156
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1905WW0008-毫米波硅基多通道收发芯片系列
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电子元器件
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共2个品种，主要指标：
品种1：基于CMOS工艺，集成了4个通道的发射功放、低噪放、移相器等模拟电路以及SPI接口转换电路，以高效率为设计目标。主要参数：频率32G～37G；发射输出功率17dBm；发射效率15%；移相位数：6位；调幅位数4位；噪声系数6.5dB；
品种2：基于CMOS工艺，集成了16个通道的发射功放、低噪放、移相器等模拟电路以及SPI接口转换电路，以高效率为设计目标。主要参数：频率32G～37G；发射输出功率17dBm；发射效率15%；移相位数：6位；调幅位数4位；噪声系数6.5dB。
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略
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157
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1905WW0009-硅基MEMS封装开关滤波器组件
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电子元器件
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共4个品种，主要指标：
品种1：频率范围：6～18GHz；开关滤波通道数：5；通带带宽：4GHz；带外抑制度（边带1GHz处）：40dBc；外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm；插损≤10dB。
品种2：频率范围：6～18GHz；开关滤波通道数：6；通带带宽：2GHz；带外抑制度（边带1GHz处）：40dBc；外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm；插损≤10dB；
品种3：频率范围：0.8～12GHz；开关滤波通道数：6；带外抑制度：30dBc；外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm；插损≤10dB；
品种4：频率范围：18～40GHz；开关滤波通道数：8；带外抑制度（边带1GHz处）：40dBc；外形尺寸≤20mm*17mm*2.5mm；插损≤10dB。
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略
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158
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1905WW0010-芯片化微波无源器件系列
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电子元器件
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共4个品种，主要指标：
品种1：PCMR滤波器，中心频率范围：140MHz；1dB带宽≥1MHz；带外抑制≥30dBc@fo±10MHz；功率≤2W。
品种2：MMIC滤波器，中频频率范围：35GHz；1dB带宽≥3GHz；带外抑制≥40dBc@fo±5GHz；功率≤23dBm。
品种3：MEMS环行器，频率范围：32GHz～38GHz；插入损耗≤1dB；隔离度≥15dB；功率≤20W。
品种4：MEMS同轴，频率范围：100MHz～40GHz；插入损耗≤0.32dB/cm@40GHz；功率：≤5W。
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略
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159
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1905WD0001-6-18GHz大功率脉冲行波管
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电子元器件
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共1个品种，主要指标：
频率：6-18GHz；功率≥5kW(6-17GHz)、≥4kW(17-18GHz)；工作比：5%；效率≥25%(6-17GHz)；
增益：≥30dB；同步电压≤16kV；冷却方式：强迫风冷；外形尺寸：≤480mm×100mm×100mm。
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略
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160
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1905WD0002-数字化相位一致毫米波功率模块
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电子元器件
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共1个品种，主要指标：
频率：26.5-40GHz；功率：≥50W；效率：≥25%；相位不一致性：≤±20º；外形：≤280×135×23mm3；输入：2.4mm；输出：BJ320；寿命：10000h；具有数字相位一致度调整功能。
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略
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161
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2019WR0001-航天用双电层电容器可靠性保证技术攻关
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电子元器件
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1.研究双电层电容器对航天应用环境的适应性（主要为振动、冲击等力学条件的影响）
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略
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162
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2019WR0002-导电聚合物铝电容器可靠性提升工艺技术攻关
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电子元器件
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1.开展导电聚合物叠层、线绕铝电容器微观结构分析和失效物理研究，得出铝电容器的失效模式与机理，为科学评价与合理应用奠定基础；
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略
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163
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2019WR0003-军用厚膜片式电阻器抗硫化工艺技术攻关
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电子元器件
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1.研究厚膜片式电阻器硫化失效模式及失效机理；
2.军用厚膜片式电阻器抗硫化工艺优化攻关，并在至少2款典型产品中获得验证；
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略
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164
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2019WR0004-硅肖特基二极管低反向漏电流工艺技术攻关
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电子元器件
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1.建立硅肖特基二极管芯片金属硅化物形成模型，包括金属势垒溅射功率、溅射时间、溅射时硅片温度参数等；2.建立肖特基退火工艺模型，包括金属硅化物退火温度、时间、氮气流量、氢气流量等参数；
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略
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165
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2019WR0005-高压快恢复整流二极管软度因子优化工艺技术攻关
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电子元器件
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1.反向恢复特性与正向压降参数匹配性研究；
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略
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166
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2019WR0006-高压快恢复整流二极管评估及加固技术攻关
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电子元器件
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1.研究宇航用台面工艺玻钝高压快恢复整流二极管试验方法；
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略
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167
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2019WR0007-硅基高频小功率晶体管加固工艺技术攻关
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电子元器件
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1.基于硅基高频小功率不同工艺条件下的诱导缺陷形成及演化规律研究；
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略
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168
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2019WR0008-线缆舱外环境适应性评价和材料优化工艺攻关
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电子元器件
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1.航天器用线缆舱外应用需求分析，明确线缆舱外应用需求的要素，针对型号应用需求，建立线缆舱外应用可靠性表征指标体系；
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略
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169
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2019WR0009-光通信用半导体激光器加固技术攻关
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电子元器件
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1.半导体激光器辐射损伤机理及建模；
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略
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170
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2019WR0010-电磁断路器锁定可靠性工艺技术攻关
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电子元器件
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1.对导致国产电磁断路器锁定不可靠的故障机理进行汇总和深化分析，找出导致经常导致出现电磁断路器锁定不可靠的结构、电气、材料以及控制方面不合理因素，进行优化改进；
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略
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171
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2019WR0011-基于氮化铝陶瓷基片Au凸点倒装芯片工艺及可靠性技术攻关
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电子元器件
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1.AIN HTCC基板薄膜金属化制备技术研究；
2.裸芯片Au凸点Flip Chip工艺技术研究；
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略
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172
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2019WR0012-三维堆叠灌封器件表面互联可靠性评价及工艺技术攻关
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电子元器件
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1.开展塑封器件表面互联金属镀覆层结合力的量化表征技术，采用微纳米尺度压力、镀层拉力测试等不同加载形式综合形成表面互联可靠性的量化技术方法
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略
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173
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2019WR0013-基准源、LDO等电源类器件工艺技术攻关
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电子元器件
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1.通过TCAD仿真软件，模拟双极型晶体管的瞬态效应，分析器件工艺对瞬态波形的影响，提出可以减缓器件瞬态效应的技术路线，并进行试验验证；
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略
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174
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2019WR0014-X-ETFE导线组件防氟腐蚀贮存工艺技术攻关
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电子元器件
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1．典型生产厂X-ETFE导线的氟析出动力学研究，摸清氟析出规律：进行C55导线热水浸泡试验，计算氟析出的动力学模型；进行C55导线封闭容器的高温热处理试验，计算氟析出的动力学模型
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略
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175
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2019WR0015-高密度CCGA装联工艺技术攻关
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电子元器件
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1.宇航用CCGA装联工艺失效模式、失效机理及工艺相关性研究，获取典型性的CCGA器件特性，明确与装联工艺相关性，开展温度、振动等热/力学环境试验验证
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略
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176
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2019WR0016-军用高倍率长寿命锂原电池可靠性提升工艺技术攻关
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电子元器件
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1.弹用高倍率长寿命锂原电池产品固有可靠性影响因素及其机理研究
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略
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177
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2019WR0017-热电池在弹上环境应力条件下的可靠性提升技术攻关
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电子元器件
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1.热电池工作状态下关键材料的物理、化学性能研究，主要包括：隔离层三维结构的稳定性分析，正负极材料的反应及分解特性的热力学和动力学研究；
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略
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178
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2019WR0018-军用氢质子交换膜燃料电池可靠性提升工艺技术攻关
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电子元器件
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1.研究燃料电池堆的失效机理，建立失效模型；
2.提高电极的材料与结构工艺，满足-30℃～50℃下的使用要求；
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略
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179
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2019WR0019-集成电路芯片制造工艺可靠性结构表征（TCV）技术研究
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电子元器件
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1.全面调研我国自主集成电路工艺线TCV（固有失效机理）实施现状与存在问题，评估实施能力与水平；
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略
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180
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2019WR0020-直流有刷电机耐复杂力学环境及长寿命工艺技术攻关
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电子元器件
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1.通过对电机电刷、换向器、电枢材料技术研究、加工工艺技术攻关，实现导引头用电机复杂环境下电刷与换向器长期、稳定工作，提升电机耐极端力学环境能力及长期贮存工作可靠性；
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略
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181
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2019WR0021-超薄锗单晶抛光片翘曲形貌控制工艺技术攻关
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电子元器件
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1.锗片低损伤多线切割技术通过切割温度和切割速率的优化，降低切割表面损伤，降低切割应力，通过变速切割，解决不同切割位置切割力不均的问题，改善锗片的翘曲形貌；
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略
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182
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2019WR0022-耐海洋环境复合材料连接器工艺技术攻关
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电子元器件
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1.复合材料加工工艺技术攻关通过攻关，09、13、17、21、25号壳体等五个品种的外部弯曲力矩、附件螺纹强度、振动等符合GJB599B规定。主要内容包括：根据产品服役环境评估优化复合材料类型或规格；仿真、优化复合材料连接器壳体结构，提高螺纹连接强度及弯曲扭矩；
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略
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183
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1905WM0001-PIN光电二极管用6英寸超高阻厚层硅外延片
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电子元器件
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共2个品种。
品种1：导电类型：N型；厚度：30μm～50μm；电阻率：≥2000Ω•cm；厚度不均匀性：≤1.5%；
品种2：导电类型：P型；厚度：120μm～130μm；电阻率：＞1000 Ω•cm；厚度不均匀性：≤3%；
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略
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184
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1905WM0002-InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）材料
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电子元器件
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共1个品种。
外延片尺寸：3英寸，InP本底浓度＜5×1014cm-3，InP薄膜迁移率（室温）＞4000cm2/V.s， InGaAs本底浓度＜8×1014cm-3，InGaAs薄膜迁移率（室温）＞10000cm2/V.s
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略
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185
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1905WM0004-直径125μm单偏振光纤
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电子元器件
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共1个品种。
工作波长： 1053nm，光谱带宽：≥120nm，消光比：≥30dB/5m，损耗：≤0.01dB/m，包层直径：125±2μm
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略
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186
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1905WM0005-6英寸超薄锗衬底材料
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电子元器件
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共1个品种。
P型，晶向：＜100＞偏（111）9°±0.5°，电阻率：（0.001～0.05）Ω•cm，电阻率不均匀性：≤10%，位错密度：≤500个/cm2，晶片厚度：（250±15）μm，机械强度：≥3磅，TTV：≤8μm；
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略
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187
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1905WM0006-铬基金属氧化物电池材料
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电子元器件
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共2个品种。
品种1：粒度D50：3µm～ 4µm；比表面积： 0.9～1.2m2/g；碾压密度：≥2.2g/cm3
品种2：粒度D50：1.8～3.2 µm；比表面积：1.2 ～2m2/g；碾压密度≥2.1g/cm3；
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略
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188
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1905WM0007-超高居里温度压电陶瓷材料
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电子元器件
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共3个品种。
品种1：居里温度Tc ≥ 650℃，压电应变常数d33：≥30pC/N，高温电阻率：≥107Ωcm（482℃）
品种2：居里温度Tc ≥ 900℃，压电应变常数d33：≥20pC/N，高温电阻率：≥5×106Ωcm（600℃）
品种3：居里温度Tc ≥ 1300℃，压电应变常数d33：≥3pC/N ，高温电阻率：≥106Ωcm（650℃）
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略
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189
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1905WM0008-芯片电容用介质陶瓷材料
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电子元器件
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共3个品种。
品种1：介电常数（25℃，1MHz）：3300±300 ，绝缘强度 ≥6KV/mm，电容量随温度变化率(%)±10
品种2：介电常数（25℃，1MHz）：4500±400，绝缘强度 ≥6KV/mm ，电容量随温度变化率(%) ±15
品种3：介电常数（25℃，1MHz） 25000±2500，绝缘强度≥0.3KV/mm ，电容量随温度变化率(%) ±15
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略
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190
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1905WM0009-埋入式芯片电容用介质材料
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电子元器件
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共1个品种。
介电常数（25℃，1MHz）：2000±200，绝缘强度 ≥4KV/mm，烧结温度：≤950℃
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略
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191
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1905WM0010-双工器用超高Q值微波介质陶瓷材料
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电子元器件
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共1个品种。
介电常数：24±0.3，品质因子Q•f：＞230000GHz，频率温度系数：0±2ppm/℃（-55～85℃），粉体粒径D50:0.5±0.1µm
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略
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192
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1905WM0011-叠层片式电感器用低温共烧陶瓷材料
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电子元器件
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共1个品种。
介电常数ε≤4.8（1 MHz，25℃），介电损耗tanδ≤2×10-3（1MHz，25℃），热膨胀系数（30～380℃）：4.2±1(10-6/K)，体积电阻率（150℃）：≥1013（Ω.cm）；
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略
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193
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1905WM0012-高压多层片式压敏电阻器用介质陶瓷材料
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电子元器件
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共1个品种。
电位梯度E1mA/（V*mm-1）：1400±100V/mm，非线性系数：α≥30，介电常数：300±100，粒度：D10≤0.6μm，D50≤1.2μm，D90≤3.0μm；
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略
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194
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1905WM0013-高温高稳定稀土钴永磁材料
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电子元器件
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共3个品种。
工作温度≥450℃，HcJ(kA/m)≥1989kA/m。
品种1：αm(10-6/℃)：-150±50， (BH)max(kJ/m3)：143±8
品种2：αm(10-6/℃)： -100±50， (BH)max(kJ/m3)： 127±8
品种3：αm(10-6/℃)： -100±50，(BH)max(kJ/m3)： 103±10。
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略
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195
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1905WM0014-宽频高居里温度高磁导率MnZn铁氧体材料
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电子元器件
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共3个品种。
品种1：μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT)：15000±25％，Bs(10kHz,25℃,1200A/m)：≥390mT，Tc≥125℃
品种2：μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT)： 18000±25％，Bs(10kHz,25℃,1200A/m)：≥370mT，Tc≥110℃
品种3：μi(10kHz,25℃,B≤0.5mT)： 20000±30％，Bs(10kHz,25℃,1200A/m)：≥370mT，Tc≥110℃。
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略
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196
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1905WM0015-毫米波行波管用高精值高可靠钐钴磁体
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电子元器件
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共3个品种。
品种1：(BH)max:247±16 kJ/m3，HcJ≥1989 kA/m，Br/(μ0HcB):1.04～1.08，Tm≥300℃
品种2：(BH)max:231±16 kJ/m3，HcJ≥2387 kA/m，Br/(μ0HcB):1.04～1.07，Tm≥350℃
品种3：(BH)max:215±16 kJ/m3，HcJ≥2548 kA/m)，Br/(μ0HcB):1.04～1.07，Tm≥350℃
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略
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197
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1905WM0016-发射电流密度≥150A/cm2阴极材料
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电子元器件
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共1个品种。
工作温度≤1100℃，电流密度≥150A/cm2，寿命≥2000小时（电子枪内@50A/cm2）。
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略
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198
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1905WM0017-多层微波电路用热固性低介微波复合介质基板材料
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电子元器件
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共2个品种。
介电常数：3.48±0.05（10GHz），损耗因子：≤0.0037（10GHz），品种1：厚度及均一性：0.508±0.025mm
品种2：厚度及均一性：0.762±0.03mm；
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略
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199
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1905WM0018-匹配9K7电子浆料
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电子元器件
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共12个品种。
匹配杜邦9K7基板用金导体、银系导体、电阻浆料。
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略
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200
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1905WM0019-中温低损耗氧化铝封装材料体系
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电子元器件
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共2个品种。
产品1：介电常数：9～9.5，抗弯强度：≥450MPa，烧结温度：≤1300℃
产品2：固含量：75%～90%，粘度：100（Pa•s，10rpm）～500（Pa•s，10rpm），细度：≤10μm，导体方阻：≤5mΩ/□
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略
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201
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1905WM0020-导热吸波材料
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电子元器件
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共3个品种。
品种1：电磁波衰减系数：≥4dB/cm(2GHz)，≥10dB/cm(8GHz)，≥13dB/cm(18GHz)，密度：≤4.0g/cm3，导热系数：≥1.5 W/m•K。 品种2：电磁波衰减系数：≥5dB/cm(2GHz),,≥11dB/cm(8GHz),≥15dB/cm(18GHz)，密度：≤4.5g/cm3，导热系数：≥2.5 W/m•K。
品种3：电磁波衰减系数：≥5dB/cm(2GHz),≥11dB/cm(8GHz),≥15dB/cm(18GHz)，密度：≤4.5g/cm3，导热系数：≥1.5 W/m•K。
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略
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202
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1905WP0001-大尺寸LTCC基板钎焊型铝硅金属外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
底盘材料：铝硅，基板材料：LTCC，焊接孔洞率：≤10% ，单个孔洞小于1.5mm×1.5mm，翘曲度：≤5μm/mm
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略
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203
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1905WP0002-多光路-射频多腔体金属外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
漏气速率：≤1×10-3Pa•cm3/s，绝缘电阻：500VDC，R≥1×1010Ω，透光率＞98%，微波特性：频率40G，驻波比≤1.2
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略
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204
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1905WP0003-陶瓷绝缘子圆形金属外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
绝缘电阻≥1×1010Ω，温度循环：-65℃～175℃,500次循环，漏气率≤1×10-3Pa•cm3/s（He,环境和机械试验后），盐雾试验：48h
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略
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205
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1905WP0004-基于HTCC的TR组件用陶瓷外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
品种1：引出端数量：24；金属底盘热导率≥200W/m•K；
品种2：引出端数量：16；产品应用频段：8 GHz -12.5GHz；
盐雾（未封口）：24h
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略
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206
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1905WP0005-高密度双面腔氮化铝陶瓷外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
基体材料：AlN-HTCC，双面多腔，抗弯强度：≥400MPa，导带方阻：≤15mΩ/□，金属化附着力：≥43N/mm2
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略
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207
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1905WP0006-内部LGA垂直传输结构FP型陶瓷外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
应用频率（GHz）：8～12.5，传输端口回波损耗(dB)：S11≤-15，传输端口插入损耗(dB)：S21≥-0.5，标准偏差≤0.05，隔离度(dB)：≥35
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略
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208
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1905WP0007-电源用低阻上下腔CSOP型陶瓷外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
输入端/输出端引线电阻：≤20mΩ，带热沉，上下腔，内配金锡合金焊环的陶瓷盖板，盐雾：24h
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略
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209
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1905WP0008-二次密封结构CLCC型陶瓷外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
密封区平面度：≤50μm，差分对输入端/输出端引线电阻：≤200mΩ，气密性：≤1×10-3Pa•cm3/s（A4），绝缘电阻：≥1×1010Ω，500VDC
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略
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210
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1905WP0009-低引线电阻表贴型陶瓷外壳系列
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电子元器件
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共2个品种。
金属化剥离强度：≥4.3kg/mm2，方阻：5 mΩ/□～8mΩ/□，引线电阻：≤0.01Ω，气密性、温度循环、恒定加速度、引线牢固度等满足GJB923A 要求，工作温度： -65℃～175℃
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略
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211
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1905WP0010-3000W微波大功率器件用外壳
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电子元器件
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共3个品种。
应用频率:8GHz～12GHz，导通电阻：≤10mΩ，传输端口射频隔离度：≥35db，射频传输端口插入损耗：≤0.25db
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略
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中央军委装备发展部信息系统局关于2019年电子元器件科研项目评审工作规范
第一章 总则
第一条为规范中央军委装备发展部信息系统局（以下简称信息系统局）2019年电子元器件科研项目立项评审工作，营造有利于激发创新活力的公平公正竞争环境，制定本工作规范。
第二条本工作规范是2019年电子元器件科研项目立项评审工作的基本依据。
第三条立项评审分为初审和会议评审，可按专业领域并行开展评审工作。
第二章 项目申报与形式审查
第四条申报单位应具备以下条件：
（一）在中华人民共和国境内注册且法定代表人具有中华人民共和国国籍；
（二）非外资控股企业；
（三）不得为从事代理、销售等非科研生产性质的单位；
（四）取得国家标准的质量管理体系认证证书；
（五）涉密项目申报单位需具备需三级（含）以上保密资格，以及相应专业的装备承制单位资格；
注：如申报单位不具备装备承制单位资格，且经评审最终成为项目承研单位，须经信息系统局组织进行装备承制单位资格审查后，方可签订研制合同。
第五条申报单位根据需求对接阶段领取的项目任务书编写项目申报材料，申报材料采取现场集中受理的方式，不受理非现场申报的材料。
第六条申报单位可申报多个项目，但不允许只申报项目的部分研究内容。
第七条 申报材料受理时，同步完成形式审查。以下情况视为形式审查不通过：
（一）申报材料不齐全；
（二）申报项目的编号、名称与需求信息不符；
（三）申报单位保密资质不满足申报项目密级要求；
（四）申报单位上报的初审材料透露申报单位信息；
（五）有关材料未按要求加盖申报单位公章，或公章与申报单位不符；
（六）其他明显不符合申报要求的情况。
第八条 现场形式审查未通过的申报材料，可修改后在项目受理期内再次提交，超过受理期限不予受理。
第三章 初审
第九条 超过5个申报单位的项目，需进行初审和会议评审；不超过5个（含）的申报单位的项目直接采取会议评审方式。
第十条初审采取盲评方式，专家组按照“指定+随机抽取相结合”的方式，从信息系统局确定的专家库中遴选组成，人数一般为5-7人，主要为技术专家。
第十一条 初审过程中，专家各自独立对项目申报书的研究目标、研究进度、研究成果、关键技术、研究方案及技术途径等内容进行书面审查并打分。每个项目申报书的得分为去掉一个最高分、去掉一个最低分后的平均值。
第十二条每个项目得分前5名，且高于70分的单位为初审通过单位。
第四章 会议评审
第十三条通过初审进入会议评审的项目，原则上应由申报单位的项目负责人到会答辩，不到会答辩的，视为放弃申报。
第十四条会议评审专家组按照“指定+随机抽取相结合”的方式，从信息系统局确定的专家库中遴选组成，人数一般为11-15人，主要由技术专家（包括行业专家和用户专家）和价格专家构成，会议评审专家不得作为申报单位项目负责人进行答辩。
第十五条申报单位参加会议评审入场前，应当对评审专家组名单予以确认。申报单位如有充足理由申请专家回避的，应向军委装备发展部信息系统局提出书面申请，军委装备发展部信息系统局会同评审专家组集体研究决定是否予以回避。申报单位确认后方可参加会议评审。
第十六条会议评审过程中，申报单位汇报项目综合立项论证报告和经费概算报告后。技术专家各自独立按照评审指标体系对项目进行打分，并给出是否同意立项结论。计算该单位项目得分时，首先随机去除2名技术专家得分，再去掉一个最高分和一个最低分得出的平均值，为最终得分。得分高于70分，且三分之二以上技术专家同意立项为通过评审。
注：承研单位在研合同执行情况得分将纳入评审指标体系，如承研单位无在研项目，其合同执行得分按参加该项目评审的其他单位合同执行情况得分平均值计算。
第十七条技术专家和价格专家按照有关财务规章制度，各自独立给出项目概算评审经费。计算专家组建议概算时，去掉一个最高经费（在经费相同时去掉财务专家的建议经费）、一个最低经费（在经费相同时去掉技术专家的建议经费），并按照价格专家权重为1.2、技术专家权重为1得出专家组建议概算。
第十八条型谱类项目（编号含WJ、WH、WW、WQ、WG、WZ、WY、WD字段）选取通过评审的综合得分前2名单位为候选承研单位。第一名单位项目经费为该单位申报经费与专家组建议经费的就低值，第二名单位项目经费为该单位申报经费与50%专家组建议经费的就低值。
第十九条型谱类以外项目原则上选取综合得分第一名为候选承研单位，项目经费为该单位申报经费和专家组建议经费的就低值。
第五章 附则
第二十条会议评审后，有关入围候选单位信息按指南发布渠道予以公示，公示期5天。
第二十一条评审相关材料全部归档备查，会议评审期间全程摄像。若认为评审过程存在违规行为，可在公示期内提出书面申诉，并提供准确违规情况。信息系统局组织进行调查核实后，如申诉情况属实，将依照有关规定进行处理，并视情组织复议；如申诉情况不属实，则视为无理申诉，将暂停无理申诉单位下一年度电子元器件科研任务申报资格。
第二十二条本工作规范由军委装备发展部信息系统局负责解释。
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